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STMICROELECTRONICS STP26NM60N Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-1737872
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STP26NM60N
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.135 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 10 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 140 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3 V SVHC No SVHC (17-Dec-2015)
Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, STMICROELECTRONICS, STP26NM60N, 1737872, 173-7872
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1
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Entrepot 7391
3 jours
130
1
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€ 4,46*
Entrepôt 1295
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Franco à domicile
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Entrepôt 7014
2 jours
1253
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Prix: Entrepôt 7014
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par Pièce
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 7014
Période:Dans les 21 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
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