VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET CANAL NP 30V. SO8

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 6 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 6 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.038 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.038 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2.78 W Dissipation de puissance, Canal P 2.78 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (07-Nov-2024)