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VISHAY SI4431CDY-T1-GE3 MOSFET CANAL P DIODE 30V 9A 8-SOIC


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-1858950
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4431CDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.026 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 9 A Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 4.2 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC No SVHC (07-Nov-2024)
Autres mots de recherche: Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, transistor à effet de champ, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SI4431CDY-T1-GE3, 1858950, 185-8950
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Franco à domicile
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 7014
Période:Dans les 21 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:forfait € 6,90*
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Accessoires
onsemi
FDS4935A
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