VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 1.3 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 1.3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.165 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.165 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.25 W Dissipation de puissance, Canal P 1.25 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-363 Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)