DIODES INC. ZXMHC3F381N8TC MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3.98 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.98 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.033 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.033 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 870 mW Dissipation de puissance, Canal P 870 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)