DIODES INC. DMG6602SVT MOSFET, NP CH, , 30V, 3.4, ATSOT23

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 3.4 A Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.038 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.038 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.12 W Dissipation de puissance, Canal P 1.12 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSOT-26 Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)