ONSEMI FDS3890 MOSFET CANAL NN 80V 8SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 80 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 4.7 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 80 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.034 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.034 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)