NEXPERIA PMDPB55XP,115 MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118

Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.055 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.055 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 490 mW Dissipation de puissance, Canal P 490 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-1118 Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024) Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 4.5 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V