ONSEMI FDS6898A MOSFET NN-CH 20V 9.4A 8-SOIC RL

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 9.4 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 9.4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.01 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.01 ohm Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)