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VISHAY SIS890DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N 100V PPAK-1212

Quantité:

Pièces

Informations sur les produits

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N° du produit:
7014-2283693

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIS890DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0195 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 30 A Type de boîtier de transistor PowerPAK 1212 Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 52 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1.5 V SVHC Lead (07-Nov-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SIS890DN-T1-GE3, 2283693, 228-3693

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