NEXPERIA PMDPB58UPE,115 MOSFET PP CH 20V 3.5A SOT1118

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 4.5 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.058 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.058 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 515 mW Dissipation de puissance, Canal P 515 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-1118 Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)