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ONSEMI 2N7002ET1G MOSFET CANAL N 60V 310MA SOT-23-3

Quantité:

Pièces

Informations sur les produits

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N° du produit:
7014-2317895

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
2N7002ET1G

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.86 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 310 mA Type de boîtier de transistor SOT-23 Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 420 mW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC No SVHC (27-Jun-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, 2N7002ET1G, 2317895, 231-7895

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