ONSEMI FDC6327C MOSFET, CH-N/P, 20V, 2.7/1.9A, SUPERSOT

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit PowerTrench Series Courant de drain continu Id, Canal P 1.9 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.08 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.17 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 960 mW Dissipation de puissance, Canal P 960 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)