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ONSEMI FQB55N10TM MOSFET CANAL N 100V 55A TO-263AB


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2323207
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB55N10TM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 100v
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.021 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 55 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263AB Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 155 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, FQB55N10TM, 2323207, 232-3207
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