VISHAY SI4943CDY-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANALP -20V 0.0275OHM -8A

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 8 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 8 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0275 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0275 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 3.1 W Dissipation de puissance, Canal P 3.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (07-Nov-2024)