VISHAY SIHP33N60E-GE3 MOSFET, N-CH, 600V, 33A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.083 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 33 A Type de boîtier de transistor TO-220AB Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 278 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC Lead (07-Nov-2024)