VISHAY SQJ940EP-T1_GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 18A, PPAKSO8L

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Courant de drain continu Id, Canal P 15 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id, Canal N 15 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0133 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0133 ohm Dissipation de puissance Canal P 48 W Dissipation de puissance, Canal P 48 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (10-Jun-2022)