ONSEMI FDS8858CZ MOSFET DOUBLE NP CMS SO-8 BOBINE

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 8.6 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 8.6 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.017 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.017 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)