ONSEMI FDG6304P MOSFET, DUAL P-CH, -25V, -0.41A, SC-70-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 25 V Courant de drain continu Id, Canal P 410 mA Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 25 V Courant de drain continu Id, Canal N 410 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.85 ohm Type de canal Canal P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.85 ohm Dissipation de puissance Canal P 300 mW Dissipation de puissance, Canal P 300 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SC-70 Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)