ONSEMI NTJD4105CT1G MOSFET CANAL N & P 20V, 0.63A, SOT-363-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 630 mA Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 630 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.29 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.29 ohm Dissipation de puissance Canal P 270 mW Dissipation de puissance, Canal P 270 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-363 Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)