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ONSEMI FQB22P10TM MOSFET CANAL P, -100V, -22A, TO-263AB-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2464133
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB22P10TM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 100v
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.096 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 22 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 3.75 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, ONSEMI, FQB22P10TM, 2464133, 246-4133
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