NEXPERIA PMDXB1200UPEZ DOUBLE MOSFET CANAL P -30V -0.41A DFN-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 410 mA MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 410 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 1.2 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 1.2 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 285 mW Dissipation de puissance, Canal P 285 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DFN1010B Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)