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STMICROELECTRONICS STB35N60DM2 MOSFET, CANAL N 600V, 28A, TO-263

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Informations sur les produits

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-2531105

Fabricant:
ST Microelectronics

N°. du fabricant:
STB35N60DM2

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.094 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 28 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 210 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (17-Dec-2015)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STB35N60DM2, 2531105, 253-1105

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