NEXPERIA NX1029X,115 MOSFET, AUTO, CANAL N & P, 60V, SOT666

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 330 mA MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 330 mA Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 1 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 1 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 330 mW Dissipation de puissance, Canal P 330 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOT-666 Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (27-Jun-2024)