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VISHAY SIHG33N65EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 31.6A, TO-247AC-3

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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-2576518

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIHG33N65EF-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.095 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 31.6 A Type de boîtier de transistor TO-247AC Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 313 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (07-Nov-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SIHG33N65EF-GE3, 2576518, 257-6518

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