VISHAY SQJ431EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, -200V, -12A

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.178 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant de drain Id 12 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Tension Vds max.. 200 V Dissipation de puissance 83 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 3 V SVHC No SVHC (10-Jun-2022)