ONSEMI FDMD8680 MOSFET DOUBLE CANAL N 80V 66A PQFN-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 80 V Courant de drain continu Id, Canal P 66 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 80 V Courant de drain continu Id, Canal N 66 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0033 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0033 ohm Dissipation de puissance Canal P 39 W Dissipation de puissance, Canal P 39 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PQFN Qualification - SVHC Lead (14-Jun-2023)