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VISHAY SI3932DV-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 3.7A TSOP


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Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2646379
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI3932DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 3.7 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.047 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.047 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 1.4 W Dissipation de puissance, Canal P 1.4 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSOP Qualification - SVHC No SVHC (07-Nov-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, VISHAY, SI3932DV-T1-GE3, 2646379, 264-6379
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