VISHAY SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANAL P -20V 4A CHIPFET

Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 3.1 W Dissipation de puissance, Canal P 3.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor ChipFET Qualification - SVHC No SVHC (07-Nov-2024) Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 4 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.083 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.083 ohm