VISHAY SI7997DP-T1-GE3 MOSFET DOUBLE CANAL P -20.8V POWERPAK SO

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 60 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 60 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0045 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0045 ohm Type de canal Canal P Dissipation de puissance Canal P 46 W Dissipation de puissance, Canal P 46 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification - SVHC Lead (07-Nov-2024)