Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 7014-2679706 N°. du fabricant: SI7997DP-T1-GE3 EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 60 A Gamme de produit TrenchFET Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 60 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0045 ohm Type de canal Canal P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0045 ohm Dissipation de puissance Canal P 46 W Dissipation de puissance, Canal P 46 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification - SVHC Lead (10-Jun-2022) |
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| Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, VISHAY, SI7997DP-T1-GE3, 2679706, 267-9706 |
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