ROHM QH8M22TCR MOSFET CANAL N ET P 40V 4,5A TSMT

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Courant de drain continu Id, Canal P 4.5 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0346 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0346 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.5 W Dissipation de puissance, Canal P 1.5 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSMT Qualification - SVHC No SVHC (17-Jan-2023)