ROHM QH8MA4TCR MOSFET CANAL N ET P 30V 9A TSMT8

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 9 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 9 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0123 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0123 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2.6 W Dissipation de puissance, Canal P 2.6 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSMT Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)