VISHAY SQJB80EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 80V 30A POWERPAK SO

Tension Drain Source Vds, Canal N 80 V Courant de drain continu Id, Canal P 30 A Gamme de produit TrenchFET Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 80 V Courant de drain continu Id, Canal N 30 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0155 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0155 ohm Dissipation de puissance Canal P 48 W Dissipation de puissance, Canal P 48 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (10-Jun-2022)