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ROHM SCT2H12NYTB MOSFET CANAL N, 1,7KV 4A TO-268

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N° du produit:
7014-2762593

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
SCT2H12NYTB

EAN/GTIN:
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Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.15 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 2 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 4 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-268 (D3PAK) Tension Vds max.. 1.7 kV Dissipation de puissance 44 W Tension de seuil Vgs Max 2.8 V SVHC Lead (17-Jan-2023)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

Autres mots de recherche: (SiC), Carbide, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, ROHM, SCT2H12NYTB, 2762593, 276-2593

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à partir de 7500 Pièces	€ 3,20*	€ 3,84	par Pièce