VISHAY SUP90330E-GE3 MOSFET, CANAL N, 200V, 35,8A, TO-220AB

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0312 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 35.8 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-220AB Tension Vds max.. 200 V Dissipation de puissance 125 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (10-Jun-2022)