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ONSEMI FDD1600N10ALZ TRANSISTOR MOSFET N 100V 6,8A TO-252-3


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2825152
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDD1600N10ALZ
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.124 ohm Gamme de produit PowerTrench MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 6.8 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 14.9 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.8 V SVHC Lead (14-Jun-2023)
Autres mots de recherche: Transistor, mosfet 100v, transistors de puissance, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, ONSEMI, FDD1600N10ALZ, 2825152, 282-5152
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