ONSEMI FDS89161LZ MOSFET, CANAL N, 100V, 2,7A, SOIC-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 2.7 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.105 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.105 ohm Type de canal Canal N + Schottky Dissipation de puissance Canal P 1.6 W Dissipation de puissance, Canal P 1.6 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)