ONSEMI NVMFD5C650NLT1G MOSFET AEC-Q101 DOUBLE CANA N 60V DFN-8

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P 111 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 111 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0035 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0035 ohm Dissipation de puissance Canal P 125 W Dissipation de puissance, Canal P 125 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor DFN Qualification - SVHC Lead (14-Jun-2023)