ONSEMI NTHD3100CT1G MOSFET CANAL N/P, -20V, -3.9A, CHIPFET

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 3.9 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.9 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.064 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.064 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.1 W Dissipation de puissance, Canal P 1.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor ChipFET Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)