ONSEMI NTMD3P03R2G MOSFET CANAL P -30V -3,05A SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 3.05 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.05 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.085 ohm Type de canal Canal P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.085 ohm Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)