ONSEMI NTMD4N03R2G MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 4A SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 4 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.048 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.048 ohm Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)