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VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET CANAL P -8V, -12A POWERPAK SC70


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Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-2889709
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA427ADJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.013 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 12 A Type de boîtier de transistor PowerPAK SC-70 Tension Vds max.. 8 V Dissipation de puissance 19 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 800 mV SVHC No SVHC (07-Nov-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SIA427ADJ-T1-GE3, 2889709, 288-9709
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