ONSEMI FCD360N65S3R0 MOSFET, CANAL N, 650V, 10A, TO-252

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.31 ohm Gamme de produit SUPERFET III MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 10 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 83 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC Lead (27-Jun-2024)