ROHM TT8M2TR MOSFET, N & P-CH, 30V, 2.5A, TSST

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 2.5 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.065 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.065 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.25 W Dissipation de puissance, Canal P 1.25 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSST Qualification - SVHC No SVHC (17-Jan-2023)