VISHAY SIHA20N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 19A, 150°C, 34W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.16 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 19 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220FP Tension Vds max.. 500 V Dissipation de puissance 34 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (19-Jan-2021)