VISHAY SIHU4N80E-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 4,3A, 150°C, 69W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.1 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 4.3 A Type de boîtier de transistor TO-251 Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 69 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC Lead (07-Nov-2024)