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VISHAY SISA26DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 25V, 60A, 150°C, 39W

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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

N° du produit:
7014-2932955

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SISA26DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
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Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00215 ohm Gamme de produit TrenchFET Gen IV MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 60 A Type de boîtier de transistor PowerPAK 1212 Tension Vds max.. 25 V Dissipation de puissance 39 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.5 V SVHC Lead (07-Nov-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Simple

Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, VISHAY, SISA26DN-T1-GE3, 2932955, 293-2955

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