VISHAY SISC06DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 40A, 150°C, 46,3W

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0022 ohm Gamme de produit TrenchFET Gen IV MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 40 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK 1212 Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 46.3 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.1 V SVHC To Be Advised