VISHAY SQJB68EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 CANAL N DOUBLE 100V 11A

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit TrenchFET Series Courant de drain continu Id, Canal P 11 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 11 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0765 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0765 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 27 W Dissipation de puissance, Canal P 27 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (07-Nov-2024)