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ROHM SCT3017ALGC11 MOSFET, CANAL N, 650V, 118A, 175°C, 427W

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N° du produit:
7014-2947063

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
SCT3017ALGC11

EAN/GTIN:
Pas d'information

Fiche technique du produit

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.017 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 118 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-247N Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 427 W Tension de seuil Vgs Max 5.6 V SVHC Lead (23-Jan-2024)

... > Semiconducteurs - Composants discrets > MOSFET de puissance > Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

Autres mots de recherche: (SiC), Carbide, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Silicon, Transistors, ROHM, SCT3017ALGC11, 2947063, 294-7063

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